v 產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成

v 設(shè)備用途：是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及最后物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質(zhì)膜，輕松實現(xiàn)對化學(xué)成分較復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行材料生長。在生長過程中還可以實現(xiàn)引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質(zhì)

v 基片尺寸：8inch（可向下兼容）

v 加熱溫度：1000℃    加熱方式：輻射加熱

v 靶材：3*4"

v 真空度：5*10-7Pa

v 氣路系統(tǒng)：氧氣、氮氣、氬氣

v 模塊：PLD+進(jìn)樣室

v 激光窗口：配有閘板閥

v 光路系統(tǒng)：激光掃描功能