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v 應用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
v 電阻絲加熱電極，溫度可達400°C或1200°C
v 實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝
v 晶圓可達200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓
v 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構：確保提升了工藝均勻性和速率
v 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能：可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
v 通過前端軟件進行設備故障診斷，故障診斷速度快
v 用干涉法進行激光終點監(jiān)測：在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
v 用發(fā)射光譜（OES）實現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測：監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測
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